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电脑内存条频率也叫做主频（单位：兆赫兹/MHZ），主频越大运行速度越快，目前为止主流内存条为4代，它的频率有：2400MHZ,2666MHZ,3000MHZ,3200MHZ, 4200MHZ ,4600MHZ等，频率越高价格越贵，这里分享几种常见查看内存频率方法。
一、内存条标签上看内存频率
取出电脑内存，找到带有标签的一面，上面有很多参数，比如金士顿第一排KVR24N17D8/8-SP，KVR代表经济型，24N表示它的频率2400MHZ，D8表示单面8颗颗粒，/8表示容量8G。
二、BIOS系统查看内存频率
打开电脑，开机显示主板LOGO时按DEL键，进入BIOS，进入之后选择Main(标准设定)，查看里面的memory frequency（内存频率），后面的数字2400MHZ代表此内存频率大小。
三、进入电脑系统查看内存频率。
进入win10系统，按组合键ctrl+alt+del，选择任务管理器，点击上方的性能，点击“内存”在右下方可以看到内存使用情况，以及速度2666MHZ，这里的速度指内存频率。
内存带宽计算 内存带宽计算公式：带宽=内存时钟频率×内存总线位数×倍增系数/8。
以DDR400内存为例，它的运行频率为200MHz，数据总线位数为64bit，由于上升沿和下降沿都传输数据，因此倍增系数为2，此时带宽为：200×64×2/8＝3.2GB/s（如果是两条内存组成的双通道，那带宽则为6.4 GB/s）。很明显，在现有技术水准下，运行频率很难成倍提升，此时数据总线位数与倍增系数是技术突破点。单通道内存节制器一般都是64-bit的，8个二进制位相当于1个字节，换算成字节是64/8=8，再乘以内存的运行频率，如果是DDR内存就要再乘以2，因为它是以SD内存双倍的速度传输数据的，所以： DDR266,运行频率为133MHz，带宽为133×2×64/8 = 2.1GBps （PC2100） DDR333,运行频率为166MHz，带宽为166×2×64/8 = 2.7GBps （PC2700） DDR400,运行频率为200MHz，带宽为200×2×64/8 = 3.2GBps （PC3200） 所谓双通道DDR，就是芯片组可以在两个不同的数据通道上分离寻址、读取数据。这两个相互独立工作的内存通道是依靠于两个独立并行工作的、位宽为64-bit的内存节制器下，因此使普通的DDR内存可以到达128-bit的位宽，因此，内存带宽是单通道的两倍，因此： 双通道DDR266的带宽为133×2×64/8×2 = 4.2GBps 双通道DDR333的带宽为166×2×64/8×2 = 5.4GBps 双通道DDR400的带宽为200×2×64/8×2 = 6.4GBps
1、首先，您需要进入BIOS。按下电源按钮后，按键盘上的DEL键进入BIOS。
2、进入GIGABYTE BIOS界面后，为了使内容更容易理解，首先切换到系统菜单并将语言设置为中文。
3、之后选择返回“M.I.T”菜单并选择内存高级设置。
3、首先打开内存频率设置的主开关，极端内存配置文件意味着“极端内存配置”。
4、只需在此处更改性能加速模式，然后将其更改为增强稳定模式。
5、您可以点击内存倍率调整的功能选项手动调整倍频，并可以根据内存质量增加内存。
如何查自己电脑内存条频率DDR 有400MHz，DDR2有533、800、667、1066，DDR3的有1333的，你首先要分清楚你的电脑使用哪样的内存，这在说明书上会标明，是使用D1、D2还是D3
还有一点要提示的是，如果是在同一代的，如是D2，因为接口是一样的，可以考虑买比主板支持的频率稍高一点的内存，不影响使用且变于以后主板超频，如果你是电脑DIY的话.像我的电脑支持667的内存，我买了800的内存，现在在超频，就省得单独给内存超频了，因为内存的默认频率就有800了。
怎么查看电脑内存条频率内存条的参数该怎么看？
个人学习电脑安装和实践已经有5年多时间，总结以下2种方法供你参考：
第一种方法：
对于完全不懂电脑拆装的人，建议到电脑配件商城去看内存条实物，对应下图查看内存条参数（DDR2指的是2代内存，DDR3就是指的3代了，依此类推）。有电脑拆装经验的人可以将电脑内存条从电脑主板上拔下来，然后查看内存的工作频率等信息，如果是笔记本电脑的话，卸下来的步骤比较麻烦，建议采用第二种方法。
看内存条参数电脑图解-1
第二种方法：
下载并安装“CPU-Z”软件。根据安装向导安装就可以了，如下图所示。
看内存条参数电脑图解-2
安装好了之后就打开，点击“内存”，就可以看到内存是几代、容量等信息。
看内存条参数电脑图解-3
如果想查看到更准确的信息的话，就点击SPD，左边这里点击插槽，然后就可以看内存型号以及带宽频率等信息了，左边这里插槽点击可以看有几个插槽安装了内存条。
看内存条参数电脑图解-4
以上就是我分享的2种内存条参数查看方法，供你参考。
如何查看自己电脑内存条频率
在电脑的cmd运行窗口中输入“wmic memorychip”即可查看电脑内存条运行频率，具体操作请参照以下步骤。；
1、在电脑界面的任务栏找到“开始”图标进行点击，一般任务栏都固定在电脑界面最下方。；
2、在“开始”菜单中找到程序搜索栏，在搜索栏输入“cmd”进行搜索，出现cmd程序后进行点击。；
3、点击“cmd”程序后，就会出现cmd的编辑窗口界面了。；
4、在cmd窗口光标出输入命令代码“ wmic memorychip”，再按键盘上的回车键。；
5、完成以上操作后，即可查看电脑内存条运行频率，频率数字出现在下图中红色框选的地方。
如何查看电脑内存条频率
回答：看内存工作频率（主频）：比如说：12800= 1600*8= 12800 意思是 1600mhz的工作频率；这也是DDR3第三代内存常用的频率参数；这个参数越大反应内存响应速度越快；比如说DDR4 第四代内存:内存频率可以达到2166mhz以上。
还要看 类型版本，比如人们常说DDR2 DDR3DDR4这些指的是内存版本第几代；版本越新，性能越出色。目前最高的达到DDR4 代以上版本，速度超快，性能卓越。
品牌 虽然说这个不大重要，但是也有质量上的明显优势，一般常见的内存品牌：三星 金士顿 海力士等都比较好的，参数准确，运行超快。
怎么查自己电脑内存条的频率是多少
具体查看主板支持内存频率方法如下：
1、首先确认主板具体型号。
2、确定了主板型号后，则可以通过网上查阅资料/直接登录主板的官网，查看下主板参数即可知道主板支持内存频率。注：电脑能够支持多大容量与多高频率的内存，不仅由主板决定，还和处理器有关，只不过大多数主板和处理器都是必须兼容结合使用，主板设计的时候，大都会考虑CPU支持的最大频率，因此一般只看主板支持内存频率就可以。
怎样查看电脑内存条频率
一种参数，一般存储在内存条的SPD上。2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上。RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间。Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间。Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点。
在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍：
一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置
首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：
Command Per Clock(CPC)
可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T)。
Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期。
显然，也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长。目前的大部分主板都会自动设置这个参数。
该参数的默认值为Disable(2T)，如果玩家的内存质量很好，则可以将其设置为Enable(1T)。
CAS Latency Control(tCL)
可选的设置：Auto，1，1.5，2，2.5，3，3.5，4，4.5。
一般我们在查阅内存的时序参数时，如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。这个3就是第1个参数，即CL参数。
CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”。CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址，或者说是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数，在稳定的前提下应该尽可能设低。
内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。
这个参数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令。同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成第一部分传送所需要的时钟周期数。这个参数越小，则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟，可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或2.5的同时，如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率，所以需要对内存超频时，应该试着提高CAS延迟。
该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下，CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作。CL值为2为会获得最佳的性能，而CL值为3可以提高系统的稳定性。注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3。
RAS# to CAS# Delay(tRCD)
可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数，即第1个4。RAS# to CAS# Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)，表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小，性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时，需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在JEDEC规范中，它是排在第二的参数，降低此延时，可以提高系统性能。建议该值设置为3或2，但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定。该值为4时，系统将处于最稳定的状态，而该值为5，则太保守。
如果你的内存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值。
Min RAS# Active Timing(tRAS)
可选的设置：Auto，00，01，02，03，04，05，06，07，08，09，10，11，12，13，14，15。
该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数，即8。Min RAS# Active Time (也被描述为：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time)，表示“内存行有效至预充电的最短周期”，调整这个参数需要结合具体情况而定，一般我们最好设在5－10之间。这个参数要根据实际情况而定，并不是说越大或越小就越好。
如果tRAS的周期太长，系统会因为无谓的等待而降低性能。降低tRAS周期，则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态。如果tRAS的周期太短，则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输，这样会引发丢失数据或损坏数据。该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期。如果你的CAS latency的值为2，tRCD的值为3，则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期。为提高系统性能，应尽可能降低tRAS的值，但如果发生内存错误或系统死机，则应该增大tRAS的值。
如果使用DFI的主板，则tRAS值建议使用00，或者5-10之间的值。
Row Precharge Timing(tRP)
可选的设置：Auto，0，1，2，3，4，5，6，7。
该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数，即第2个4。Row Precharge Timing (也被描述为：tRP、RAS Precharge、Precharge to active)，表示"内存行地址控制器预充电时间"，预充电参数越小则内存读写速度就越快。
tRP用来设定在另一行能被激活之前，RAS需要的充电时间。tRP参数设置太长会导致所有的行激活延迟过长，设为2可以减少预充电时间，从而更快地激活下一行。然而，想要把tRP设为2对大多数内存都是个很高的要求，可能会造成行激活之前的数据丢失，不能顺利地完成读写操作。对于桌面计算机来说，推荐预充电参数的值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRP值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。
如果使用DFI的主板，则tRP值建议2-5之间的值。值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守。大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数。
Row Cycle Time(tRC)
可选的设置：Auto，7-22，步幅值1。
Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数。
其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP)。因此，设置该参数之前，你应该明白你的tRAS值和tRP值是多少。如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时，而降低性能。然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化。
在这种情况下，仍会导致数据丢失和损坏。因此，最好根据tRC = tRAS + tRP进行设置，如果你的内存模块的tRAS值是7个时钟周期，而tRP的值为4个时钟周期，则理想的tRC的值应当设置为11个时钟周期。
Row Refresh Cycle Time(tRFC)
可选的设置：Auto，9-24，步幅值1。
Row Refresh Cycle Time(tRFC、RFC)，表示“SDRAM行刷新周期时间”，它是行单元刷新所需要的时钟周期数。该值也表示向相同的bank中的另一个行单元两次发送刷新指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRFC值越小越好，它比tRC的值要稍高一些。
如果使用DFI的主板，通常tRFC的值不能达到9，而10为最佳设置，17-19是建议值。建议从17开始依次递减来测试该值。大多数稳定值为tRC加上2-4个时钟周期。
Row to Row Delay(RAS to RAS delay)(tRRD)
可选的设置：Auto， 0-7，每级以1的步幅递增。
Row to Row Delay，也被称为RAS to RAS delay (tRRD)，表示"行单元到行单元的延时"。该值也表示向相同的bank中的同一个行单元两次发送激活指令(即：REF指令)之间的时间间隔。tRRD值越小越好。
延迟越低，表示下一个bank能更快地被激活，进行读写操作。然而，由于需要一定量的数据，太短的延迟会引起连续数据膨胀。于桌面计算机来说，推荐tRRD值设定为2个时钟周期，这是最佳的设置，此时的数据膨胀可以忽视。如果比此值低，则会因为每次激活相邻紧接着的bank将需要1个时钟周期，这将影响DDR内存的读写性能，从而降低性能。只有在tRRD值为2而出现系统不稳定的情况下，将此值设定为3个时钟周期。
如果使用DFI的主板，则tRRD值为00是最佳性能参数，4时能达到最高的频率。通常2是最合适的值，00看上去很奇怪，但有人也能稳定运行在00-260MHz。
Write Recovery Time(tWR)
可选的设置：Auto，2，3。
Write Recovery Time (tWD)，表示“写恢复延时”。该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期。这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中。同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏。
如果你使用的是DDR200和266的内存，建议将tWR值设为2；如果使用或DDR400，则将tWD值设为3。如果使用DFI的主板，则tWR值建议为2。
Write to Read Delay(tWTR)
可选的设置：Auto，1，2。
Write to Read Delay (tWTR)，表示“读到写延时”。三星公司称其为“TCDLR (last data in to read command)”，即最后的数据进入读指令。它设定向DDR内存模块中的同一个单元中，在最后一次有效的写操作和下一次读操作之间必须等待的时钟周期。
tWTR值为2在高时钟频率的情况下，降低了读性能，但提高了系统稳定性。这种情况下，也使得内存芯片运行于高速度下。换句话说，增加tWTR值，可以让内容模块运行于比其默认速度更快的速度下。如果使用DDR266或DDR333，则将tWTR值设为1；如果使用DDR400，则也可试着将tWTR的值设为1，如果系统不稳定，则改为2。
Refresh Period(tREF)
可选的设置：Auto， 0032-4708，其步进值非固定。
Refresh Period (tREF)，表示“刷新周期”。它指内存模块的刷新周期。
先请看不同的参数在相同的内存下所对应的刷新周期(单位：微秒，即：一百万分之一秒)。?号在这里表示该刷新周期尚无对应的准确数据。
1552= 100mhz 2064= 133mhz 2592= 166mhz 3120= 200mhz ---------------------
3632= 100mhz 4128= 133mhz
4672= 166mhz
0064= 200mhz
---------------------
0776= 100mhz 1032= 133mhz 1296= 166mhz 1560= 200mhz
---------------------
1816= 100mhz 2064= 133mhz 2336= 166mhz 0032= 200mhz ---------------------
0388= 100mhz(15.6us)
0516= 133mhz(15.6us)
0648= 166mhz(15.6us)
0780= 200mhz(15.6us)
---------------------
0908= 100mhz(7.8us)
1032= 133mhz(7.8us)
1168= 166mhz(7.8us)
0016= 200mhz(7.8us)
---------------------
1536= 100mhz(3.9us)
2048= 133mhz(3.9us)
2560= 166mhz(3.9us)
3072= 200mhz(3.9us)
---------------------
3684= 100mhz(1.95us)
4196= 133mhz(1.95us)
4708= 166mhz(1.95us)
0128= 200mhz(1.95us)
如果采用Auto选项，主板BIOS将会查询内存上的一个很小的、名为“SPD”(Serial Presence Detect )的芯片。SPD存储了内存条的各种相关工作参数等信息，系统会自动根据SPD中的数据中最保守的设置来确定内存的运行参数。如过要追求最优的性能，则需手动设置刷新周期的参数。一般说来，15.6us适用于基于128兆位内存芯片的内存（即单颗容量为16MB的内存），而7.8us适用于基于256兆位内存芯片的内存（即单颗容量为32MB的内存）。注意，如果tREF刷新周期设置不当，将会导致内存单元丢失其数据。
另外根据其他的资料显示，内存存储每一个bit，都需要定期的刷新来充电。不及时充电会导致数据的丢失。DRAM实际上就是电容器，最小的存储单位是bit。阵列中的每个bit都能被随机地访问。但如果不充电，数据只能保存很短的时间。因此我们必须每隔15.6us就刷新一行。每次刷新时数据就被重写一次。正是这个原因DRAM也被称为非永久性存储器。一般通过同步的RAS-only的刷新方法（行刷新），每行每行的依次刷新。早期的EDO内存每刷新一行耗费15.6us的时间。因此一个2Kb的内存每列的刷新时间为15.6?s x2048行=32ms。
怎么查看自己电脑的内存条频率查看电脑运行内存几个G很容易看，首先我们区分好什么是硬盘内存和运行内存。在我的电脑或者计算机中。所存在的盘符的容量是硬盘的容量。
而查看运行内存容量可以通过以下几种方法：
方法一通过CMD查询
按下windows+R键，打开运行窗口。
在“打开”处输入“cmd"。
按下enter键，打开DOS窗口。
输入命令：systeminfo
按下enter键，得到大量系统信息。
找到“物理内存总量”，此处的值即为实际使用的内存大小。
方法二任务管理器
1.在电脑屏幕下方空白处导航栏右键任务管理器
2.找到性能选项，一般电脑都是4G内存或8G内存
